b.tgδ的第二次測量值對第一次測量值的增加量不應超過2×10-4。
在解釋測量結果時，應考慮以下兩個因素：
a.測量的再現性；
b.在單元未發生任何元件擊穿或一只內部熔絲熔斷的情況下，電介質的內部 變化有可能引起電容的微小變化。
注：①無論是檢驗單元的損耗還是溫升是否滿足要求，都應考慮在整個熱穩定試 驗過程中的電壓、頻率和冷卻空氣溫度的波動。為此，建議作出這些參數以及單 元損耗角正切值或外殼溫度對時間的關系曲線。
�、�60Hz的單元可用50Hz的電源進行試驗，反之也可，但其試驗容量都必須 等于1.58Qn。對于額定頻率低于50Hz的單元，試驗條件應由購買方和制造廠協 商決定。
�、蹖τ谌鄦卧�，下列兩種情況都是允許的：
a.使用三相電源；
b.改變內部連接，使其成為具有相同容量的單相單元而使用單相電源。
6.8 高溫損耗角正切值tgδ的測量
6.8.1 測量程序
單元高溫損耗角正切值tgδ的測量應在熱穩定試驗結束時進行，測量電壓和 頻率應符合6.4條規定。
6.8.2 要求
按6.8.1條測得的tgδ應不超過5.2.2條中相應的規定值。
注：出廠試驗中部分單元的高溫tgδ值可在密封性試驗結束時進行測量，測量電 壓應為(0.9～1.1)Un。
6.9 放電試驗
以直流電將單元充電到2Un，然后通過一個盡可能靠近單元的間隙進行放 電，此試驗應在10min內作完5次。
在此試驗后的5min內，單元應按5.2.3條進行一次極間耐壓試驗。
在放電試驗前和極間電壓試驗后均應測量電容，兩次測量值之差應小于相當 于一根熔絲熔斷所引起的變化量或總電容量的2%。
三相單元，僅在兩個端子之間進行。對內部為三角形連接的，應將兩個端子 短接。對內部為星形連接的，不需短接端子，但試驗電壓必須調節到使元件承受 的電壓為元件額定電壓的兩倍。
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