a-弗侖克爾缺陷,

　　b-肖特基缺陷

　　(1) 弗侖克爾缺陷

　　具有足夠大能量的原子（離子）離開平衡位置后，擠入晶格間隙中，形成間隙原子離子），在原來位置上留下空位。

　　特點：空位與間隙粒子成對出現，數量相等，晶體體積不發生變化。

　　在晶體中弗侖克爾缺陷的數目多少與晶體結構有很大關系，格點位質點要進入間隙位，間隙必須要足夠大，如螢石（CaF₂）型結構的物質空隙較大，易形成，而NaCl型結構不易形成�？偟膩碚f，離子晶體，共價晶體形成該缺陷困難。

　　(2) 肖特基缺陷

　　表面層原子獲得較大能量，離開原來格點位跑到表面外新的格點位，原來位置形成空位這樣晶格深處的原子就依次填入，結果表面上的空位逐漸轉移到內部去。

　　特點：體積增大，對離子晶體、正負離子空位成對出現，數量相等。結構致密易形成肖特基缺陷。

　　晶體熱缺陷的存在對晶體性質及一系列物理化學過程，導電、擴散、固相反應、燒結等產生重要影響，適當提高溫度，可提高缺陷濃度，有利于擴散，燒結作用，外加少量填加劑也可提高熱缺陷濃度，有些過程需要最大限度避免缺陷產生, 如單晶生產，要非�？炖鋮s。

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