B1 高頻電容和等值串聯電阻

　　應該考慮到耦合電容器高頻特性的任何改變，例如耦合電容器本身電容的變 化或引進了雜散量(電容等)，都會影響傳輸頻帶寬度(有效頻帶)，使頻帶移動和產 生附加的耦合衰減。

　　B2 低電壓端子的雜散電容和雜散電導

　　低電壓端子對接地端子的雜散電容和雜散電導必須盡可能地小。雜散電導高于 20μS的數值就會顯著地影響耦合設備的頻帶寬度，至少對在低于100kHz的頻率 下運行時和耦合電容較低時是這樣。

　　由于電磁單元的電容和附加損耗，5.2.9.2條把對完整的電容式電壓互感器的 這兩個參量的要求放寬了。為了盡量降低這些參量，應對端子的設計和布置作適 當的處理，力求在惡劣的大氣條件(潮濕、雪、霜、灰塵等)下，雜散電容和雜散電 導也不致顯著地高于上列數值。

　　B3 耦合電容器的高頻電流

　　耦合電容器必須設計得能承受通過至少1A的穩態高頻電流(等效在400Ω電 阻上產生400W功率的電流，方均根值)，且不發生任何損壞。

　　B4 高頻電容和等值串聯電阻測量 (6.8條)

　　為了驗證低溫的影響，要在氣候室內進行測量，經過商定可以對包含有限元 件的模擬電容器進行。

　　高頻電容和等值串聯電阻值的測量方法，只要方便，可以從各種高頻方法， 諸如電橋法、置換法等之中換取一種。

　　圖B1所示為電橋測量法的一個例子，它能夠使所求之參量��(Cs和Rs)直接讀出。

　調節Cm和Rm使電橋平衡之后，所求之參量如下：

Cs=Cm   Rs=Rm

上一頁 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] 下一頁