按形成的原因不同分三類：

　　1 熱缺陷（晶格位置缺陷）

　　在晶體點陣的正常格點位出現空位，不該有質點的位置出現了質點（間隙質點）。

　　2 組成缺陷

　　外來質點（雜質）取代正常質點位置或進入正常結點的間隙位置。

　　3 電荷缺陷

　　晶體中某些質點個別電子處于激發狀態，有的離開原來質點，形成自由電子，在原來電子軌道上留下了電子空穴。

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