涉及較大范圍（二維方向）、晶界、晶面、堆垛層錯。

　　1. 晶面：由于晶體表面處的離子或原子具有不飽和鍵，有很大反應活性，表面結構出現不對稱性，使點陣受到很大彎曲變形，因而能量比內部能量高，是一種缺陷。

　　2. 晶界：晶粒之間交界面，晶粒間取向不同出現晶粒間界，在晶粒界面上的排列是一種過渡狀態與兩晶粒都不相同。

　　1）小角度晶界（鑲嵌塊）

　　尺寸在10-6-10-8m的小晶塊，彼此間以幾秒到 的微�。� ）角度傾斜相交，形成鑲嵌結構，有人認為是棱位錯，由于晶粒以微小角度相交，可以認為合并在一起，在晶界面是形成了一系列刃型位錯。

　　2）大角度晶界，各晶面取向互不相同，交角較大，在多晶體中，晶體可能出現大角度晶界。在這種晶界中，頂點排列接近無序狀態，晶界處是缺陷位置，所以能量較高，可吸附外來質點。晶界是原子或離子擴散的快速通道，也是空位消除的地方，這種特殊作用對固相反應，燒結起重要作用，對陶瓷、耐火材料等多晶材料性能如蠕變、強度等力學性能和極化、損耗等介電性能影響較大。

　　3. 堆垛層錯

　　離子堆垛過程中發生了層次錯動，出現堆垛層錯，如面心立方堆積形式為ABCABCA……→ABCACBABC中間的B層和C層發生了層次錯動，出現缺陷（一般了解）

　　非化學計量化合物

　　定義：化合物中各元素的原子數之比不是簡單的整數而出現了分數，如Fe1-xO,Cu2-xO,Co1-xO等。

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