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| 位錯蠕變的概念 | |
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恢復作用
這是高溫下的一種變形機制，當溫度 T > 0.63 Tm（Tm為 熔融溫度）時，恢復作用顯得重要起來，位錯可以比較自由地擴展并且從一個滑移面攀移到另一個滑移面。從而符號相反的兩個位錯可以通過攀移而互相湮滅（下圖）；符號相同的位錯可以重新排列成位錯壁，而將一個晶粒分隔為亞晶粒。亞晶粒之間在晶格方位上有一輕微差異，而亞晶粒內部位錯密度降低，使變形能繼續進行（圖）。這種現象稱為多邊形化作用。在顯微鏡單偏光下觀察仍為一個晶粒，在正交偏光下觀察可以看到相鄰亞晶粒間的消光位有幾度之差。
A、B 的上部表示晶內的許多位錯通過滑移和 攀移重新排列而形成亞晶粒邊界
A、B 的下部表示塞積的位錯通過攀移而越過障礙，消除堆積的位錯 |
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| 關鍵字:晶體滑動|概念|簡介|恢復作用|動態重結晶作用| | |
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