在理想完整晶體中，原子按一定的次序嚴格地處在空間有規則的、周期性的格點上。但在實際的晶體中，由于晶體形成條件、原子的熱運動及其它條件的影響，原子的排列不可能那樣完整和規則，往往存在偏離了理想晶體結構的區域。這些與完整周期性點陣結構的偏離就是晶體中的缺陷，它破壞了晶體的對稱性。

　　晶體中存在的缺陷種類很多，根據幾何形狀和涉及的范圍�？煞譃辄c缺陷、面缺陷、線缺陷幾種主要類型。

　　點缺陷：是指三維尺寸都很小，不超過幾個原子直徑的缺陷。主要有空位和間隙原子

　　空位是指未被原子所占有的晶格結點。間隙原子是處在晶格間隙中的多余原子。點缺陷的出現，使周圍的原子發生靠攏或撐開，造成晶格畸變。使材料的強度、硬度和電阻率增加。所以金屬中，點缺陷越多,它的強度、硬度越高。

　　線缺陷：是指三維空間中在二維方向上尺寸較小，在另一維方面上尺寸較大的缺陷。屬于這類缺陷主要是位錯。什么是位錯呢？

　　位錯是晶體中的某處有一列或若干列原子發生了某種有規律的錯排現象。

　　面缺陷：是指二維尺寸很大而第三維尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亞晶界。

　　晶界：晶粒之間的邊界稱為晶界。

　　亞晶界：亞晶粒之間的邊界叫亞晶界。

　　按缺陷的形成又可以分為本征缺陷和雜質缺陷。

　　本征缺陷——由晶體本身偏離晶格結構形成的缺陷，是由于晶格結點上的粒子的熱運動產生的，也稱熱缺陷。如：

　　空位缺陷：晶格結點缺少了某些原子（或離子）而出現了空位。

　　間充缺陷：在晶格結點的空隙中，間充有原子（或離子）。

　　錯位缺陷：在晶格結點上A類原子占據了B類原子所應占據的位置。

　　非整比缺陷：晶體的組成偏離了定組成定律的非整比性的缺陷。

　　雜質缺陷——雜質粒子進入晶體形成的缺陷，如雜質粒子和間隙粒子缺陷。

　　晶體缺陷一般對晶體的化學性質影響較小，而對晶體的一些物理性質如導電性、磁性、光學性能及機械性能影響很大。

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